Транзисторы - это стратегическая разработка. Поэтому напишу еще по этой теме (помимо написанного ранее по истории создания ЭВМ 1ого поколения).
Посткриптум размещу в качестве своего рода введения.

P.S. Кратенько дополню сказанное ниже. Описанные примеры проектов и образцов транзисторов были результатами локальных всплесков мысли талантливых или просто удачливых людей, не подкрепленные достаточной экономической и организационной поддержкой и не сыгравшие поэтому серьезной роли в развитии электроники.
Создание транзистора справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир. Оно было отмечено Нобелевской премией по физике, присужденной в 1956 г. американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли. Но у нобелевской тройки в разных странах были предшественники .
Дж. Бардин, У. Браттейн и У. Шокли (нобелевские лауреаты оказались в лучших условиях просто потому, что они единственными из всех работали в рамках специальных исследований с мощной финансовой поддержкой).

Поддерживаю. Но тогда ему лучше выйти на академика Иоффе.

В Википедии по истории создания транзисторов откровенная ерунда написама. Цитирую:
"Идея полевого транзистора с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако объективные трудности в реализации этой конструкции позволили создать первый работающий прибор этого типа только в 1960 году."
Это неправда. В отставшем от Запада СССР первый транзистор был создан уже в 1948 году в ходе дипломной работы одной студентки. Работа велась независимо от американцев. А промышленностью первые транзисторы стали изготавливать в 1953 году. В 60-е годы транзисторы получили уже широкое распрастранение в стране.
Хорошо данная тема шла и в США. 28 марта 1928 года принципиальная схема примитивного транзистора была создана немецким ученым J. E. Lilienfeld (работавшим в США).

Ниже даю краткий перечень работ, которые велись в 30-40е годы ХХ века по этой тематике и их авторов.
Очень много было сделано школой физики полупроводников академика А.Ф. Иоффе – пионера мировых исследований по физике полупроводников. Еще в 1931 году он опубликовал статью с пророческим названием: «Полупроводники – новые материалы электроники». Немалую заслугу в исследование полупроводников внесли Б.В. Курчатов и В.П. Жузе. В своей работе – «К вопросу об электропроводности закиси меди» в 1932 году они показали, что величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией и природой примеси. Советский физик Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных носителей заряда: электронов и дырок. В 1931 г. англичанину Уилсону удалось создать т еоретическую модель полупроводника, сформулировав при этом основы «зонной теории полупроводников». В 1938 г. Мотт в Англии, Б.Давыдов в СССР, Вальтер Шоттки в Германии независимо друг от друга предложили теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник. В 1939 году Б.Давыдов опубликовал работу «Диффузионная теория выпрямления в полупроводниках». В 1941 г. В. Е. Лашкарев опубликовал статью «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статью «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди». Он описал физику «запорного слоя» на границе раздела «медь – закись меди», впоследствии названного «p-n» переходом. В 1946 г. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы. Большой вклад в исследование свойств полупроводников внесли И.В.Курчатов, Ю.М.Кушнир, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевича, Ж.И.Алферов и др. Таким образом, к концу сороковых годов двадцатого века основы теоретической базы для создания транзисторов были проработаны достаточно глубоко, чтобы приступать к практическим работам.

Вот информация из другого источника.
Первой известной попыткой создания кристаллического усилителя в США предпринял немецкий физик Юлиус Лилиенфельд, запатентовавший в 1930, 1932 и 1933 гг. три варианта усилителя на основе сульфида меди. В 1935 г. немецкий у ченый Оскар Хейл получил британский патент на усилитель на основе пятиокиси ванадия. В 1938 г. немецкий физик Поль создал действующий образец кристаллического усилителя на нагретом кристалле бромида калия. В довоенные годы в Германии и Англии было выдано еще несколько аналогичных патентов. Эти усилители можно считать прообразом современных полевых транзисторов. Однако построить устойчиво работающие приборы не удавалось, т.к. в то время еще не было достаточно чистых материалов и технологий их обработки. В первой половине тридцатых годов точечные триоды изготовили двое радиолюбителей – канадец Ларри Кайзер и тринадцатилетний новозеландский школьник Роберт Адамс. В июне 1948 г. (до обнародования транзистора) изготовили свой вариант точечного германиевого триода, названный ими транзитроном, жившие тогда во Франции немецкие физики Роберт Поль и Рудольф Хилш. В начале 1949 г. было организовано производство транзитронов, применялись они в телефонном оборудовании, причем работали лучше и дольше американских транзисторов. В России в 20-х годах в Нижнем Новгороде О.В.Лосев наблюдал транзисторный эффект в системе из трех – четырех контактов на поверхности кремния и корборунда. В середине 1939 г. он писал: «…с полупроводниками может быть построена трехэлектродная система, аналогичная триоду», но увлекся открытым им светодиодным эффектом и не реализовал эту идею. К транзистору вело множество дорог.

Отредактировано poloz07 (05-11-2013 12:47:48)

А предки были такие дурные, что о ИТЛ знать не знали...

Политический момент совершенно не учитываете. У Ленина на этот счет давно расписано, кто, на каком этапе временный союзник, когда от балласта следует избавляться.
И если лагеря не начали строить раньше, то к тому были вполне объективные причины. Хотя бы наличие людей, которые этим будут заниматься.

Заблуждение.

Нет ни нужных материалов, ни специалистов, которых не создать на ровном месте. И чего вы добьетесь, инициируя работы по термояду раньше? Того, что страны с большим промышленным потенциалом создадут свои заряды быстрее.

К 1945 в СССР невозможно.
Напишите, докажите, что я не прав. Только по степени проработки материала ваша книга должна быть не менее достоверна, чем у коллеги Запасного.

Зачем она нужна, эта всемирная революция? И сколько миллиардов человек вы готовы убить ради ее проведения?

Мао Дзе Дун, помнится, готов был пожертвовать третью населения планеты...

Неужели мы все что-то пропустили и Осецкий уже запустил в СССР двадцатых годов "атомный проЭкт"?